全球第 2 大 NAND 型闪存厂东芝（Toshiba）28 日宣布，已携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠 96 层的 3D NAND 试作品为 256Gb（32GB）、采用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和记忆卡等市场。
上述堆叠 96 层的 3D NAND 将利用东芝四日市工厂“第 5 厂房”、“新第 2 厂房”以及预计 2018 年夏天完成第 1 期工程的“第 6 厂房”进行生产。
东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的 512Gb（64GB）3D NAND 产品以及采用全球首见的 4bit/cell（QLC = Quad-Level Cell）技术的 3D NAND 产品。
东芝目前已量产堆叠 64 层的 3D NAND 产品，而和 64 层产品相比，96 层 3D NAND 每单位面积的记忆容量扩大至约 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每 bit 成本也下滑。
东芝并于 28 日宣布，已试做出全球首见、采用 4bit/cell（QLC）技术的 3D NAND 产品 ，且已完成基本动作及基本性能的确认。该款 QLC 试作品为采用堆叠 64 层制程技术，实现业界最大容量的 768Gb（96GB）产品，已于 6 月上旬提供给 SSD 厂、控制器厂进行研发使用。
（Source：东芝）
东芝表示，堆叠 16 片 768Gb 芯片，实现业界最大容量 1.5TB 的 QLC 技术产品预计于 2017 年 8 月送样，且该款 1.5TB 产品将在 8 月 7-10 日期间于美国圣塔克拉拉举行的“Flash Memory Summit 2017”上进行展示。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/Adrian CC BY 2.0）
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