内存产业在历经价格血战成了三强鼎立的寡占市场，中国在市场、国安考量力求在内存有所突围，原先的紫光、武汉新芯从各自进击到合体发展，另外两组势力在联电、中芯老将辅佐下也积极展开布局，中国内存铁三角逐步成形。
紫光集团先前欲并购美光、与 SK 海力士谈授权最后都无疾而终，最终与获得中国内存统筹资源的武汉新芯合并，进一步成立长江存储公司，由紫光董事长赵伟国兼任长江存储董事长，大基金总经理丁文武出任副董事长，并由原武汉新芯首席执行官杨士宁出任总经理负责 NAND Flash 擘划，转战紫光的前华亚科董事长则任长江存储首席运营官重起炉灶筹备 DRAM建厂。
武汉新芯内存基地已在 2016 年 3 月底动土，根据科技新报先前取得的消息，新的内存基地将分三期，总规划面积约 100 万平方米，一期于 8 月开工、预计 2018 年建设完成，月产能约 20 万片，而官方目标到 2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。第一步已与 NOR 内存厂商飞索半导体（Spansion）签订技术授权，从 3D NAND Flash 下手，并预计 2017 有能力推出 32 层堆叠、2018 年推出 48 层堆叠 3D NAND Flash。在 DRAM 进展上与美光洽谈技术授权还未有眉目，也有消息指出，高启全正招兵买马透过人脉挖角台湾 DRAM 相关人才，或为自行建厂做准备。
在 DRAM 进展有较大突破的为福建后起势力，福建省政府在 5 月宣布，所投资的晋华集成与联电签订技术合作协定，由联电接受晋华委托开发 DRAM 相关制程技术，生产利基型 DRAM，团队由瑞晶、美光台湾前总经理、现任联电资深副总经理陈正坤领军，在 7 月 12 吋厂建厂奠基的同时，已在台湾南科建立小型试产线，据了解初期将导入 32 奈米，但最终目标其实放在 25 奈米以下制程，以求与其他 DRAM 大厂不致有太大落差，初步产能规划每月 6 万片，估计 2017 年底完成技术开发，2018 年 9 月试产，并在 2019 年以前将产线移转至福建新厂。
而合肥欲起的 DRAM 势力在前尔必达社长坂本幸雄淡出合肥后，由中国本土 NOR Flash 厂商兆易创新（GigaDevice）与中芯国际前首席执行官王宁国所主导，先前市场传出兆易创新将与武岳峰等中国基金并购的美国 DRAM 厂 ISSI 合并，成为长江存储后，另一家 DRAM/NAND Flash 发展兼具的内存厂商。然目前还未传出团队有相关建厂消息。
除了三厂竞逐成为焦点，团队主导人也颇有渊源，主导合肥团队的王宁国与长江存储总经理杨士宁同样出身中芯国际，先前两派人马在中芯斗争多年甚至跃上新闻版面，如今再度碰头；而现任长江存储首席运营官的高启全与联电资深副总经理陈正坤，相继待过华亚科、美光体系，中国内存争战熟人相争就看谁能带领团队率先出线。
（首图来源：shutterstock）
延伸阅读：
- 中国发展内存狂挖台湾墙脚，南亚科、华亚科成人才培育中心？
- 高启全出手，台湾 DRAM 产业恐现逾百人才出走潮
- 联电技术支援中国晋华的晋江 12 吋厂 7 月份将正式奠基动工
- 【图表看时事】中国 12 吋晶圆厂开不停，产能、发展总整理
- 2016 年全球闪存高峰会，中国厂商能见度快速攀升
