台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在 7 奈米制程争战，而现在台积电有望领先群雄在 2017 年国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）率先发表 7 奈米 FinFET 技术！
全球 IC 设计领域论文发表最高指标国际固态电路研讨会（ISSCC）下届确定于 2017 年 2 月 5~9 日在美国加州登场，台积电设计暨技术平台组织副总侯永清将担任特邀报告（Plenary Talks）讲者。
这次台积电 5 篇论文获选（美国台积电 1 篇），2 篇论文为类比电路领域，内存电路设计则有 3 篇。此次 ISSCC 2017 入选的 208 篇文章中，台湾产学研各界领域有 15 篇，除了台积电 5 篇，台湾 IC 设计一哥联发科此次有 4 篇，南亚科转投资 IC 设计公司补丁科技也有 1 篇获选，其他交通大学 3 篇、台湾大学 2 篇、清华大学 1 篇。
值得关注的是，此次台积电将领先业界在大会上发表 7 奈米 FinFET 技术。揭示迄今最小位元数 SRAM 在 7 奈米 FinFET 的应用，验证 0.027μm2 256 Mbit SRAM 测试芯片在 7 奈米制程下，能大幅提升手机、平板电脑中央处理芯片运算速度，同时满足低功率需求。
台积电、三星通常以 SRAM、DRAM 来练兵，先从内存下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。台积电先前预估 10 奈米年底量产、7 奈米最快 2018 年第一季生产，然在英特尔宣布放缓 10 奈米以下制程投入进度后，台积电与三星在 10 奈米、7 奈米先进制程展开激烈缠斗。
三星在 10 月初抢先台积电宣布 10 奈米量产，市场近期传出台积电 7 奈米最快在明年 2017 就可试产、4 月接单，拉升 7 奈米制程战火。三星在 7 奈米就引进极紫外光（EUV）微影设备，力拼 2017 年年底 7 奈米量产。
而格罗方德则宣布跳过 10 奈米，直接转进 7 奈米，预估 2017 年下半可进行产品设计定案（tape out），2018 年初开始风险生产（risk production）。
（首图来源：科技新报摄）
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