从单片 Micro LED 模组进化到多片拼接动态显示，工研院与 LED 驱动 IC 厂聚积科技、PCB 厂欣兴电子、半导体厂镎创科技，四方合作研发的次世代显示技术 Micro LED 又再度升级，最新成果在 7 日刚开展的美国消费性电子展（CES 2020）中正式公开。
工研院跟三厂所开发的被动矩阵式驱动“超小间距 Micro LED 显示模组”，继 2018 年成功将 Micro LED 阵列芯片直接转移到 PCB 基板、创下全球首例后，2019 年 6 月进一步达成真正的 RGB 全彩，改善红光良率并克服弱化结构难题。时隔半年，四方合作结晶再度升级，实现多片模组拼接并以动态显示呈现。
先前所展出的 Micro LED 模组，主要以 6 cm x 10 cm 单片形式呈现静态影像；这次在 CES 中则是实现 15 片模组拼接，整体尺寸为 30 cm x 30 cm，达到间距（Pitch）625 μm、分辨率 480 x 480 pixel，而且能显示动态影像，视觉效果比起过去有了显著提升。
▲ 工研院在 CES 2020 最新公开的拼接型 Micro LED 室内显示看板应用，以 15 片 6 cm x 10 cm 模组组成
工研院电光所智能应用微系统组副组长方彦翔博士表示，过去半年在四方共同努力下实现两大技术升级，即良率提高及多片式组装。由于良率拉升、坏点问题大幅降低，多片模组拼接也得以实现，动态影像呈现效果也更理想。
“现在蓝、绿光 Sub-pixel（单一子画素）点亮良率超过 99.9 ％‘三个9’，红光经修补后超过 99 ％，我们还在努力往第三个 9 做，”方彦翔指出，RGB 三色的巨量转移良率几乎可达百分之百，但点亮良率才是更为关键，这表示 Micro LED 必须在转移下压到基板上时不破片，通电后又能实际点亮才算成功。
不仅如此，LED 晶圆所需兼备的三项数值标准，包括波长（Dominant Wavelength，Wd）、驱动电压（Forward Voltage，Vf）和反向漏电（流）（Reverse Leakage (Current)，Ir） ，整体良率也有持续改善拉升，蓝绿光整体良率可提高到九成，红光略低，但已有大幅提升。
工研院与三厂合力开发的超小间距 Micro LED 显示模组，目前进度已达阶段性目标，今年会力拼试量产，并锁定室内显示看板（indoor signage）应用推进。
▲ 动态显示实测
方彦翔提到，工研院下阶段 Micro LED 技术会朝电竞、扩增实境（AR）与混合实境（MR）方向发展，将分别采用玻璃基板和硅基板研发不同应用产品，看好 Micro LED 技术将比 OLED、LCD 更能发挥优势。
除了持续开发 Micro LED 显示应用，工研院今年也将以整合感测器为发展方向，朝微组装（Micro assembly）技术应用开发与验证，持续为 Micro LED 技术开创更多可能。
（首图、图片、影片来源：《科技新报》摄）
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