韩国三星电子（Samsung Electronics）领先全球同业，于去年 10 月抢先量产 3D 架构的 NAND 型闪存（Flash Memory）产品，而三星竞争对手东芝（Toshiba）目前除借由 15nm 制程 NAND Flash 对抗三星 3D NAND Flash 产品之外，现在也将携手 SanDisk 冲刺 3D NAND Flash，计划于明年第 1 季（2016 年 1-3 月）开始生产 3D 产品。
东芝 21 日发布新闻稿宣布，于去年 9 月动工进行改建的 NAND Flash 生产据点“四日市工厂”第 2 厂房（以下称新第 2 厂房）部分工程已完工，且东芝已和 SanDisk 签订正式契约，将携手对新第 2 厂房进行设备投资。
东芝指出，上述新第 2 厂房将在 2015 年度第 4 季（2016 年 1-3 月）开始进行生产，且期望借由该厂房建构 3D NAND Flash 的生产体制，借此加快 2D NAND Flash 产品转换至 3D NAND Flash 的速度。
东芝表示，该新第 2 厂房所有改建工程预计将在 2016 年上半年内完工，而其具体产能、生产计划等细节将待评估市场动向后再行决定。
根据嘉实 XQ 全球赢家系统报价，截至台北时间 21 日 13 点 05 分为止，东芝上扬 0.6% 至 337 日圆；今年迄今东芝跌幅高达约 34%，表现远逊于日经 225 指数的上扬约 6%。
费城半导体指数成分股 SanDisk 20 日收盘大涨 4.43% 至 75.19 美元，已连 5 个交易日上扬，且创 7 个月来（3 月 25 日以来）收盘新高水准。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/LG전자 CC BY 2.0）
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