全球内存市场需求持续不减，国际大厂纷纷投入扩产行动。包括龙头三星在 NAND Flash 方面，宣布中国西安开始第 2 期的建设工程，DRAM 上也有意在韩国平泽（Pyeongtaek）厂大幅生产。而另一家韩国大厂 SK 海力士，除了生产 NAND Flash 的 M15 厂预期在 2019 年正式营运之外，在 DRAM 部分也斥资 86 亿美元，将在中国无锡兴建第 2 期厂房。
另外，专注在 NAND Flash 产品的东芝，除了 Fab 6 厂即将在 2019 年营运外，还斥资 70 亿美元用于兴建 Fab7 厂，完成后将用于 96 层堆叠的 3D NAND Flash 生产。美光部分，日前除宣布将在新加坡设立 NAND Flash 的第 3 座工厂之外，在 DRAM 产品方面，虽然无新扩建产能的计划，但是预计将在台湾以提高生产效率来拉高位元成长率的方式，提升产能。因此，面对各家国际内存大厂的来势汹汹，中国的内存厂投资也开始急起直追，预计也将在 2019 年加入全球扩产战局。
根据 TrendForce 内存储存研究 (DRAMeXchange) 指出，中国内存产业目前以投入 NAND Flash 市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成 3 大阵营为主。以目前 3 家厂商的进度来看，其试产时间预计将在 2018 年下半年，随着 3 大阵营的量产的时间可能皆落在 2019 年上半年，揭示著 2019 年将成为中国内存生产元年。
DRAMeXchange 表示，从 3 大厂目前布局进度来看，合肥长鑫的厂房已于 2017 年 6 月封顶完工，并且于第 3 季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同，试产时程将会落于 2018 年第 3 季，量产则暂定在 2019 年的上半年，时程较预期落后。此外，由于合肥长鑫直攻三大 DRAM 厂最重要产品之一的 LPDDR4 8Gb，尔后面临专利争议的可能性也较高，为了避免此一状况，除了积极累积的专利权外，初期可能将锁定于中国销售。
反观，专注于利基型记忆的晋华集成，在 2016 年 7 月宣布于福建省晋江市建 12 吋厂，投资金额约 53 亿美元，以目前进度来看，其利基型内存的试产延后至 2018 年第 3 季度，量产时程也将落在 2019 年上半年。
此外，从中国厂商 NAND Flash 的发展进程来看，2016 年 12 月底，由长江存储主导的国家内存基地正式动土，官方预期分 3 阶段，共建立 3 座 3D-NAND Flash 厂房。第一阶段厂房已于 2017 年 9 月完成兴建，预定 2018 年第 3 季开始移入机台，并于第 4 季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产 32 层 3D-NAND Flash 产品，并预计于自家 64 层技术成熟后，再视情况拟定第 2、3期生产计划。
DRAMeXchange 指出，观察中国内存厂商的研发与产出计划，2019 年将是中国内存产业的生产元年。但也由于 2 家 DRAM 厂预估初期量产规模并不大，短期难撼动全球市场现有格局。无论是 DRAM 或是 NAND Flash 产品，各家都是初试啼声，相较于耕耘多年的既有内存大厂所面临的挑战更多，因此亦不排除量产时间点也可能比原先预期延后。
长期来看，随着中国内存产品逐步成熟，预计2020 年到 2021 年，2 家 DRAM 厂商现有工厂将逐步满载，在最乐观的预估下，届时 2 家厂商合计约有每月 25 万片的投片规模，可能将开始影响全球 DRAM 市场的供给。另一方面，长江存储计划设有的 3 座厂房总产能可能高达每月 30 万片，不排除长江存储完成 64 层产品开发后，可能将进行大规模的投片，进而在未来 3 到 5 年对 NAND Flash 的供给产生重大影响。
（首图来源：shutterstock）
