半导体业者大举布局，2020 年中国国内 Flash 月产能上看 59 万片

中国业者在 NAND Flash 产业链的相关布局与投资不断开展，成为中国半导体业挥军全球的下一波焦点。TrendForce 旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示，随着紫光国芯（原同方国芯）投资、武汉新芯扩厂，及国际厂如三星、英特尔增加产能，预估 2020 年中国国内 Flash 月产能达 59 万片，相较于 2015 年成长近 7 倍。

TrendForce 预估 2012～2016 年 NAND Flash 生产端年平均位元成长率达 47%，其终端消费端需求年平均位元成长率亦高达 46%，显示 NAND Flash 仍为高速发展产业。拓墣研究经理林建宏表示，中国在突破内存自制缺口的政策方针下发展 Flash 晶圆制造，可由 NAND Flash 产品特性、3D NAND 需求、新兴市场的成长空间，及国际半导体大厂在中国投资四大方向切入。

1. NAND Flash 产品特性（资金成本）：产品在消费性应用下，价格是主要考量，因此生产成本的控制至为关键。中国厂商宜透过折旧认列年限调整、租赁、税负与资金成本等因素操作为切入点。
2. 3D NAND 需求（制程微缩）：Flash 在进入 2x 奈米后，制程微缩带来的成本优势越来越不明显，推迟国际 Flash 大厂技术进程，因此 3D-NAND Flash 成为成本继续降低的重要方法。林建宏指出，产品由 2D 走到 3D，需有新的技术领域加入，若能整合跨领域人才和技术，能成为中国厂商追赶的机会。
3. 新兴市场成长空间：虽然 Flash 产业短期仍处于供过于求，但长期而言新兴市场仍有成长空间。中国随一带一路政策发展的策略，对开发其周遭新兴市场需求有相当助益，妥善安排资源与发挥对新兴国家的影响力，将是中国独有的优势所在。
4. 半导体大厂在中国投资（人力与市场）：国际半导体厂商积极投入中国，在当地培养有经验和技术的人才，支持厂房运维的高度需求，有助降低中国发展自主 Flash 制造的门槛。中国透过广大的人力和市场成功吸引国际厂商的进驻，为中国发展 Flash 产业带来最好机会。

（首图来源：Flickr/Intel Free Press CC BY 2.0）