VCSEL（垂直腔面发射激光器）磊晶龙头大厂 IQE，公布 2019 上半年营收为 6,672 万英镑，相较 2018 年同期 7,340 万英镑衰退 9.1%。
分析 2019 上半年 IQE 营收衰退原因，主要由于 2019 年终端产品手机出货量下滑、中美贸易战及地域政治紧张如英国脱欧、日韩贸易争端等因素所致，使上半年 IQE 无线通讯（3,015 万英镑）及 CMOS（109 万英镑）领域营收双双下滑，但光通讯营收（3,548 万英镑）却依然强劲，较同期成长 18.0%；由此可见，VCSEL 元件于终端市场应用（如手机、车用领域）需求，未来仍旧持续看好。
VCSEL 元件获利性高于 LED 元件，目前磊晶市场已形成百家争鸣局面
VCSEL 元件发展态势，从 2018 年苹果发表的 iPhone X 系列开始，直到今日话题性仍然不断；主要由于近期手机终端产品之 3D 感测人脸辨识功能及车用光达（LiDAR）应用等需求，使相关技术及元件需求的讨论程度仍旧不减。
若回到技术层面，可发现由于 VCSEL 元件结构相当复杂，材料特性、磊晶层数之要求必须相当高，且需有高难度的磊晶技术才可顺利生产；但由于营收考量，VCSEL 元件获利性仍较一般红外光元件发光二极管（LED）高出许多，使各家磊晶厂商如 IQE、全新等、LED 厂如晶电、Lumentum 等无不相继投入或转型至 VCSEL 元件开发，以期取得较高营收表现，目前整体市场已形成百家争鸣局面。
由于两侧反射层构造复杂，VCSEL 元件结构需考量于材料设计及磊晶品质
由于 VCSEL 元件的运行原理与市售 LED 元件十分相似，主要皆透过 N 型半导体（本体或经参杂后所得较多带电子之半导体材料）与 P 型半导体（本体或经参杂后所得较多带电洞的半导体材料）相互接合后，形成 PN 接面（PN Junction）再通电元件，随后经过一连串物理变化，最终生成光源。
进一步探讨 VCSEL 与 LED 元件两者间的结构差异，LED 元件单纯透过 N 型及 P 型半导体结构接合即可，而 VCSEL 元件除了相同使用两者接合，还需再利用两侧分散式布拉格反射器（Distributed Bragg Reflector，DBR）等构造，使其生成之光源再经由数次反射后，提高整体光源能量，最后光源应用于其他终端产品如手机、汽车等领域。
因此 VCSEL 元件结构除了 N 型及 P 型半导体，还需透过磊晶成长方式将两侧 DBR 堆叠（层数高达 50~100 层）其中，形成光线之反射区域，使生成的光源能量得以强化；相形之下，VCSEL 元件结构比 LED 元件更复杂，材料设计较困难，且磊晶品质（厚度、平整性与均匀度）要求极高，由整体结构示意图可略知一二。
▲ GaAs 基板 VCSEL 元件结构示意图。（Source：拓墣产业研究院整理，2019.10）
（首图来源：IQE）
