韩国内存大厂 SK 海力士（SK Hynix）26 日宣布，将开始量产采用 128 层 4D NAND 型闪存（NAND Flash）技术的 1TB 三阶储存单元（TLC），不仅储存密度达业界最高，而 SK 海力士也是全球首家商业化规模生产的业者。
韩联社周三报导，这款 128 层堆叠的 4D NAND Flash 预计下半年开始出货。据 SK 海力士表示，TLC 规格芯片具有出色的性能和可靠性，目前占 NAND Flash 市场比重 85% 以上。
SK 海力士指出，若采用 128 层的 1TB NAND Flash，使用在 1TB 容量产品的 NAND 芯片数量将减少一半。随着堆叠层数持续跃增，NAND Flash 容量也大幅成长，SK 海力士表示，已着手研发下一代 176 层 4D NAND Flash。
韩联社 4 月 3 日报导，韩国芯片巨头三星电子（Samsung Electronics）和 SK 海力士 2018 年继续维持在全球半导体市场的领先地位。
根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMeXchange）最新调查，三星去年 NAND Flash 销售额为 221.9 亿美元，全球市场市占率达 35%，高居第一；日本东芝（Toshiba）以 19.2% 市占率排名第二；SK 海力士市占率 10.6%，排名第五。
Pulse News 21 日报导，由于芯片产业持续低迷和中国需求放缓，韩国出口额已连续第 7 个月呈现骤降。据韩国海关 21 日公布的最新数据，韩国 6 月 1~20 日的出口总额为 272 亿美元，比去年同期下降 10%。其中，占出口总额 17% 的半导体出口额大跌 24.3%。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：SK 海力士）
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