紫光正式进军 DRAM 产业，中国再启 DRAM 自主开发之路

TrendForce 旗下内存储存研究（DRAMeXchange）表示，紫光集团于 6 月 30 日正式发文公告筹组 DRAM 事业群，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长，而首席执行官由高启全担任。这也是在晋华遭到美国发布禁售令后，中国自主开发 DRAM 产品的另一新里程碑。

根据 TrendForce 推估，紫光 DRAM 事业群虽在草创初期，但已有长江存储的盖厂经验，且盖厂人员未有大异动下，迅速完成 DRAM 新厂的兴建并不困难；地点方面，紫光集团除了在南京有工厂正在兴建外，跟重庆亦有密切的合作，不排除是新工厂的另一选择；技术方面，紫光集团旗下的 IC 设计公司紫光国微，具有 DRAM 相关产品的研发实力，未来若能整合至紫光，将挹注其 DRAM 事业群发展。目前紫光欠缺的是 DRAM 的制程技术，这部分预计可望借由其新任首席执行官的业界人脉进行补强。

观察中国内存产业发展，自 2014 年以来历经大基金的成立以及各地方-投入发展，DRAM 产业出线的有合肥长鑫与晋华集成两家，NAND Flash 产业以长江存储为发展主力，但富士康半导体亦在 2018 年宣布与珠海市-正式签署战略合作协议后，将在珠海规划 12 吋半导体厂，传闻意图进军 DRAM 产业，至今尚未有进一步的消息。

TrendForce 指出，紫光并非首次计划进军 DRAM 产业，早在 2014 年期间紫光就曾表达出研发 DRAM 的决心，但当时为了平衡产业与地方发展，确立紫光发展 NAND Flash 的路线，DRAM 研发之路无疾而终。此次紫光集团重返 DRAM 研发之路，其原因分析如下：首先是福建晋华在去年 11 月遭美国禁售后，厂务已呈半停滞的状况，加上与联电合作研发终止，最终量产与未来研发之路都不容易。其次是虽然合肥长鑫 5 月在上海参加全球半导体联盟内存论坛（GSA Memory＋Conference）时，预计今年底量产 8Gb 的 DRAM 产品。但仅有一家正在进行的 DRAM 厂对中国自主开发 DRAM 产品的目标而言是不足的，特别在中美贸易摩擦之后，如何拥有与国际接轨与竞争的产品，是中国目前至关重要的议题。

（首图来源：shutterstock）

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