根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMe Xchange）调查显示，2017 年第三季 DRAM 产业营收表现又再度创下历史新高，受惠于传统销售旺季加上供给端成长有限，各类 DRAM 产品合约价普遍较前一季再上涨约 5%。从市场面观察，第三季 DRAM 总营收较上季再成长 16.2%，整体产业仍处于供货吃紧状态。
展望下一季，DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，整体而言，第四季 DRAM 价格平均涨幅将落在 10%。其中，PC-OEM 厂已议定第四季合约价格，就一线大厂订价来看，均价已正式突破 30 美元，落在 30.5 美元，较上一季平均涨幅约达 7%；从市场面来观察，此波涨幅主要受到行动式内存接棒涨价带动，配合 DRAM 供给吃紧的状况延续，以及智能手机旗舰机种的旺季效应，以三星为首的 DRAM 厂决定调升行动式内存报价，而手机客户为了备有足够库存也只能接受，因此行动式内存在第四季涨幅约有 10%~20%（取决于不同的容量）；而服务器内存拉货动能亦十分强劲，第四季度合约价继续上涨 6%~10%。
两大韩厂第三季合并市占率达 74.5%，美光第四季可望缩小市占差距
综观第三季营收表现，三星依然稳坐 DRAM 产业的龙头，营收来到 88 亿美元，较第二季成长 15.2%，再度创下历史新高；而 SK 海力士营收金额来到 55 亿美元，较前一季成长 22.5%，成长动能显著，两大韩厂的市占各为 45.8% 与 28.7%，合计已囊括 74. 5% 的市占率。美光集团仍旧维持第三，营收金额为 40 亿美元，季增 13.0%，市占 21.0%。由于 SK 海力士本季平均销售单价高于美光，导致两者三季的市占差距持续扩张；展望第四季，由于美光逆势成为价格领导者，价格涨幅超越两大韩系厂，预计将缩减与第二名的市占差距。
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益，三星第三季营业利益率冲破 60% 大关，来到 62% 历史新高；SK 海力士亦从第二季度的 54% 再提升至 56%；美光在 17nm 良率逐渐稳定下，营业利益率从 44% 来到 50%，成长最为显著。展望第四季，受惠于 DRAM 价格持续上涨，各家获利可望进一步提升。
三星正思索扩产计划，SK 海力士与美光专注良率与制程转进
观察各厂技术与产能布局，三星今年的目标除了专注于 18nm 制程的持续转进外，近几季 DRAM 同业的高获利，亦刺激三星开始思索可能的 DRAM 扩产计划，一方面因应供给吃紧状况，另一方面则借由提高 DRAM 产出量，压抑 DRAM 价格上涨幅度。三星此举将可巩固领先地位，维持与其他 DRAM 大厂 1~2 年以上的技术差距。
反观 SK 海力士今年目标还是着重于 21nm 的良率提升与该制程占比，18nm 制程产品则预计年底会有小量出货；至于扩厂计划，SK 海力士在中国无锡新建的第二座 12 吋厂最快要到 2019 年才会有产能开出；而美光方面，台湾美光内存（原瑞晶）目前仍致力于改善 17nm 产品的稳定度，预期到年底良率可达 80%以上，而台湾美光晶圆科技（原华亚科）今年仍以 20nm 制程良率的提升为主，明年将可望有一半产能转往 17nm 生产。
台系厂商部分，南亚科第三季营收较前一季小幅成长 5.3%，主要因为该公司以利基型产品为主，价格上扬幅度不及国际大厂较完整的产品线。展望未来，由于该公司 20nm 良率继续提升，将会持续改善成本结构，增加南亚科的获利空间。力晶科技方面，DRAM 季营收下滑 3.6 %，主因是替晶豪科、爱普等代工的获利佳，排挤部分 DRAM 产能；华邦方面营收则成长 8.7%，但由于后续制程转进状况不明，未来获利状况将完全受内存平均销售单价提升的牵动。
TrendForce 将在 2017 年 12 月 7 日（四），于台大医院国际会议中心 402AB 室（台北市中正区徐州路 2 号 4 楼）举办“ 集邦拓墣 2018 关键零组件趋势论坛”研讨会。活动网址：http://seminar.trendforce.com/Campaign/ComponentIndustry2017/TW/ index/。
（首图来源：shutterstock）
