美光科技（Micron Technology Inc.）、英特尔（Intel Corporation）5 月 21 日宣布，业界首见的 4 bits/cell 3D NAND 技术开始投产、出货。
利用通过考验的 64 层结构，新的 4 bits/cell NAND 技术让每颗晶粒的密度达到 1 terabit（Tb），成为世界上密度最高的闪存。
英特尔非挥发性内存技术开发副总裁 RV Giridhar 指出，1Tb 4 bits/cell 的商用化是非挥发性内存（NVM）历史上一项重大的里程碑。
美光 21 日同时宣布，业界首见采用革命性 QLC（四级单元）NAND 技术的 SSD（5210 ION）开始对战略支持合作伙伴和客户出货、预计今年秋季将会扩大供货。美光指出，QLC NAND 较现有 TLC（三级单元）NAND 的位元密度高出 33%。
道琼工业平均指数暨费城半导体指数成分股英特尔 5 月 21 日上涨 1.53%、收 54.32 美元，盘后续涨 0.17% 至 54.41 美元。今年迄今英特尔最高收盘纪录出现在 5 月 10 日（54.98 美元）。
费城半导体指数成分股美光 5 月 21 日上涨 3.91%、收 55.48 美元，涨幅居 30 支成分股之冠；今年迄今上涨 34.92%，涨幅同样居 30 支成分股之首。
美光 21 日盘后续涨 3.46% 至 57.40 美元，5 月 22 日若以此作收，将创 3 月 22 日以来新高。美光 5 月 21 日于法说会上宣布，2019 会计年度起至少会将 50% 的自由现金流量归还给股东。此外，美光董事会授权视市况动用 100 亿美元买回在外流通的普通股。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：美光）
