DDR4 时代逐渐来临！三星电子（Samsung Electronics）27 日宣布开始量产业界首见的直通硅晶穿孔（Through-Silicon Via，TSV）封装的 DDR4 模组，速度较前代快上一倍，用电量却只要一半。 韩联社报导，三星公关主管 Kim Ki-hoon 表示，TSV 技术能直接传送数据，可大幅提升效率。新推出的 DDR4 为 64GB，供服务器使用，由 36 个四层芯片组成，每个芯片内含 4 个 4 gigabit DRAM。三星表示，TSV 技术还能堆叠更多芯片，模组容量可大于 64GB。
三星称量产 TSV DRAM 模组可让该公司称霸高阶 DDR4 DRAM 市场，也能为今年下半推出的次世代中央处理器，提供高效解决方案，该公司将于下半年生产 64GB 以上的高阶 DDR4 模组。三星估计，今年全球 DRAM 市场达 386 亿美元，其中服务器需求约占 20%，预估云端运算盛行会带动高阶 DRAM 需求。
Tech 2 网站 13 日报导，英特尔（Intel）X99 平台预料会在 9 月的英特尔开发者论坛亮相，会场发表的 8 核心桌电处理器 Haswell-E 和 X99 平台都可能会采用 DDR4 内存。Techgage 报导，DDR4 价格高昂，以 Crucial 的 DDR4 模组为例，价格较 DDR3 高出 60% 以上。
ValueWalk 20 日公布 Capital Cube 分析师 Veibha Subramaniam 报告，当前市面智能手机使用的 DRAM 多为 DDR3 芯片。三星、美光、SK 海力士布局次世代科技，均开始量产 20 奈米制程的 DDR4 芯片，以便用于新 iPhone 和 Android 智能手机。华亚科将于今年底量产 DDR4 芯片，南科可因持有华亚科股权受惠。
（MoneyDJ新闻 记者 陈苓 报导）
