英特尔与美光于 2018 年 1 月 8 日共同宣布，在完成第三代 3D NAND Flash 研发后，双方将开启各自的研发之路，双方目前共同研发的第二代产品为 64 层 3D NAND Flash，预计第三代将可堆叠 96 层，也意味着 96 层以后 3D NAND Flash 的产品研发，英特尔将正式与美光分道扬镳。尽管这项决议不会对双方后续的制程提升、产品规划产生重大影响，但在确定分家之后，双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴。根据 TrendForce 内存存储研究（DRAMeXchange）调查，英特尔与紫光集团正积极研拟后续合作计划，双方可望建立正式销售合作关系。
英特尔与紫光拟订销售合约，紫光存储藉以耕耘通路销售竞争力
从英特尔的动向来看，英特尔一直以来高度关注中国市场，在 CPU、modem、内存等领域皆积极寻求不同的合作或合资机会。除此之外，英特尔也持续扩大在中国的产能，包含在中国大连地区以 3D NAND 为主的自主产能将持续扩张。近日 Intel 与中国紫光存储（紫光集团旗下子公司）正积极拟订长期合约，未来在此合约架构底下，紫光存储将能够获得一定比例来自英特尔的 NAND 晶圆，经自行封装测试成不同产品后，由紫光存储的自有渠道进行销售。
观察清华紫光集团在闪存的布局，清华紫光集团主要有长江存储负责闪存的开发设计与生产，并由紫光存储负责销售。但由于目前长江存储所设计的 NAND Flash 产品仍为 32 层为主，因此在他们正式开发出 64 层或更高层数的产品以前，紫光存储为了维持通路销售的竞争力，将透过协议每个月自英特尔取得闪存的晶圆成品，进而封装成包含 UFS、eMMC 以及 SSD 产品。
清华紫光集团透过这样的方式，除了能够维持通路竞争力以外，也能够加强品牌能见度。此外，尽管一开始尚无法切入中高端智能手机，或在 client SSD 领域取得优势，然而上述策略将可望以较低的售价切进包含 Chromebook 或其他消费性电子产品的应用，后续对 NAND Flash 整体价格走势带来变数。
（首图来源：Flickr/Thomas Cloer CC BY 2.0）
